Luminescencja mieszanych kryształów Zn_(1-x)Mg_(x)Se

Szerokopasmowe związki półprzewodnikowe II-VI są w ostatnich kilku latach bardzo intensywnie badane jako potencjalne materiały do konstrukcji diod elektroluminescencyjnych emitujących światło niebieskie oraz laserów półprzewodnikowych emitujących promieniowanie niebiesko-zielone, niebieskie i ultrafioletowe. Wytworzenie tych diod o dużej jasności i emitujących światło o trzech podstawowych barwach pozwala na konstrukcję płaskich, jasnych ekranów telewizyjnych i wyświetlaczy o dużej powierzchni. Skonstruowanie i seryjna produkcja struktur laserujących otwiera duże możliwości ich zastosowania w diagnostyce medycznej oraz w urządzeniach do zapisu informacji (2-krotne zmniejszenie długości fali użytego do tego promieniowania powoduje 4-krotny wzrost powierzchniowej gęstości zapisu na dysku optycznym).
Trwają prace nad zmniejszeniem szybkości degradacji struktur laserujących. Wiążą się one z poszukiwaniem nowych materiałów półprzewodnikowych. Celem tej pracy było otrzymanie mieszanych kryształów Zn1-xMgx Se i zbadanie ich podstawowych własności luminescencyjnych i krystalograficznych.

Spis treści
Procesy luminescencji w półprzewodnikach
Rekombinacja promienista w mieszanych półprzewodnikach
Wybrane własności selenku cynku i selenku magnezu
Technologia otrzymywania kryształów i warstw Zn1-xMgxSe oraz stosowane metody pomiarowe
Własności strukturalne
Luminescencja kryształów i warstw Zn1-x MgxSe

Firszt Franciszek